IRHYS597Z30CM
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IRHYS597Z30CM

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パッケージ

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IRHYS597Z30CM
IRHYS597Z30CM
データシート


製品仕様情報

  • ESDクラス
    Class 1C
  • Generation
    R5
  • ID (@100°C) (最大)
    -18 A
  • ID (@25°C) (最大)
    -20 A
  • QG
    45 nC
  • QPL型番
    2N7519T3
  • RDS (on) (@25°C) (最大)
    72 mΩ
  • TID (最大)
    100 Krad(Si)
  • VBRDSS
    -30 V
  • VF (最大)
    -5 V
  • オプションのTIDレート (kRad(si))
    100 300
  • コンフィギュレーション
    Discrete
  • ダイサイズ
    3
  • パッケージ
    TO-257AA Low Ohmic
  • 極性
    P
  • 製品カテゴリ
    Rad hard MOSFETS
  • 言語
    SPICE
  • 認定
    COTS
  • 電圧クラス
    100 V

OPN
製品ステータス not for new design
インフィニオン パッケージ
M-TO257-3
パッケージ名 TO-257AA LOW OHMIC
梱包サイズ N/A
梱包形態 N/A
MSL (湿度感受性レベル) N/A
防湿梱包 N/A
鉛フリー No
ハロゲンフリー No
RoHS対応 No

製品ステータス not for new design
インフィニオン パッケージ
M-TO257-3
パッケージ名 TO-257AA LOW OHMIC
梱包サイズ 0
梱包形態
MSL (湿度感受性レベル) -
防湿梱包
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
IRHYS597Z30CM is a R5, rad hard, -30V, -20A, single, P-channel MOSFET in a TO-257AA low ohmic package. It has electrical performance up to 100krad(Si) TID and its low RDS(on) and gate charge save power in DC to DC converters and motor control. Retaining MOSFETs advantages, it has voltage control, fast switching, and temperature stability.

アプリケーション

ドキュメント

設計リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ