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IRHYB9A97130CM

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IRHYB9A97130CM
IRHYB9A97130CM
データシート

製品仕様情報

  • ESDクラス
    Class 2
  • Generation
    R9
  • ID (@25°C) max
    -23 A
  • QG
    50 nC
  • QPL型番
    2N7660D5
  • RDS (on) (@25°C) max
    76 mΩ
  • TID max
    100 Krad(Si)
  • VBRDSS
    -100 V
  • VF max
    -1.3 V
  • オプションのTIDレート (kRad(si))
    100 300
  • ダイサイズ
    3
  • パッケージ
    TO-257AA Tabless Low Ohmic
  • 極性
    P
  • 認定
    COTS
推奨
OPN
製品ステータス
インフィニオンパッケージ
パッケージ名
包装サイズ
包装形態
水分レベル
モイスチャーパッキン
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
Infineon stock last updated:
IRHYB9A97130CM is a R9, rad hard, -100V, -23A, single, P-channel MOSFET in a TO-257AA Tabless low ohmic package. It has electrical performance up to 100krad(Si) TID and has low RDS(on) and low gate charge, making it suitable for switching applications such as DC-DC converters and motor controllers, while retaining the advantages of MOSFETs.

用途

ドキュメント

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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