IRHYB63130CM
Active and preferred

IRHYB63130CM

データシート
パッケージ

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IRHYB63130CM
IRHYB63130CM
データシート


製品仕様情報

  • ESDクラス
    Class 2
  • Generation
    R6
  • ID (@100°C) (最大)
    19 A
  • ID (@25°C) (最大)
    20 A
  • QG
    50 nC
  • RDS (on) (@25°C) (最大)
    42 mΩ
  • TID (最大)
    300 Krad(Si)
  • VBRDSS
    100 V
  • VF (最大)
    1.2 V
  • オプションのTIDレート (kRad(si))
    100 300
  • コンフィギュレーション
    Discrete
  • ダイサイズ
    3
  • パッケージ
    TO-257AA Tabless Low Ohmic
  • 極性
    N
  • 製品カテゴリ
    Rad hard MOSFETS
  • 言語
    SPICE
  • 認定
    COTS
  • 電圧クラス
    100 V

推奨
OPN
製品ステータス active and preferred
インフィニオン パッケージ
M-TO257-3
パッケージ名 TO-257 TABLESS LOW OHMIC
梱包サイズ N/A
梱包形態 N/A
MSL (湿度感受性レベル) N/A
防湿梱包 N/A
鉛フリー No
ハロゲンフリー No
RoHS対応 No

製品ステータス
Active
インフィニオン パッケージ
M-TO257-3
パッケージ名 TO-257 TABLESS LOW OHMIC
梱包サイズ 0
梱包形態
MSL (湿度感受性レベル) -
防湿梱包
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
IRHYB63130CM R6 N-channel MOSFET is a single rad hard device and has a voltage rating of 100V. It can handle a maximum current of 20A and comes in a TO-257AA tabless low ohmic package. With electrical performance up to 300krad(Si) TID classification, it is ideal for space applications. Its low RDS(on) and low gate charge make it suitable for switching applications such as DC-DC converters and motor control.

アプリケーション

ドキュメント

設計リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ