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IRHYB597Z30CM

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IRHYB597Z30CM
IRHYB597Z30CM
データシート

Product details

  • ESDクラス
    Class 1C
  • Generation
    R5
  • ID (@100°C) max
    -18 A
  • ID (@25°C) max
    -20 A
  • QG
    45 nC
  • RDS (on) (@25°C) max
    48 mΩ
  • TID max
    100 Krad(Si)
  • VBRDSS
    -30 V
  • VF max
    -5 V
  • オプションのTIDレート (kRad(si))
    100 300
  • コンフィギュレーション
    Discrete
  • ダイサイズ
    3
  • パッケージ
    TO-257AA Tabless Low Ohmic
  • 極性
    P
  • 製品カテゴリ
    Rad hard MOSFETS
  • 言語
    SPICE
  • 認定
    COTS
  • 電圧クラス
    100 V
推奨
OPN
製哝ステータス active and preferred
インフィニオンパッケージ
M-TO257-3
パッケージ坝 TO-257 TABLESS LOW OHMIC
包装サイズ N/A
包装形態 N/A
水分レベル N/A
モイスポャーパッキン N/A
鉛フリー No
ポロゲンフリー No
RoHS準拠 No
Infineon stock last updated:

製哝ステータス
Active
インフィニオンパッケージ
M-TO257-3
パッケージ坝 TO-257 TABLESS LOW OHMIC
包装サイズ 0
包装形態
水分レベル -
モイスポャーパッキン
鉛フリー
ポロゲンフリー
RoHS対応
IRHYB597Z30CM is a R5, rad hard, -30V, -20A, single, P-channel MOSFET in a TO-257AA Tabless low ohmic package. It has electrical performance up to 100krad(Si) TID and its low RDS(on) and gate charge save power in DC to DC converters and motor control. Retaining MOSFETs advantages, it has voltage control, fast switching, and temperature stability.

用途

ドキュメント

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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