IRHNS53160
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IRHNS53160

データシート
パッケージ

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IRHNS53160
IRHNS53160
データシート


製品仕様情報

  • ESDクラス
    Class 3B
  • Generation
    R5
  • ID (@100°C) (最大)
    69 A
  • ID (@25°C) (最大)
    75 A
  • QG
    160 nC
  • QPL型番
    2N7469U2A
  • RDS (on) (@25°C) (最大)
    12 mΩ
  • TID (最大)
    300 Krad(Si)
  • VBRDSS
    100 V
  • VF (最大)
    1.2 V
  • オプションのTIDレート (kRad(si))
    100 300 500
  • コンフィギュレーション
    Discrete
  • ダイサイズ
    6
  • パッケージ
    SupIR-SMD
  • 極性
    N
  • 認定
    COTS

推奨
OPN
製品ステータス active and preferred
インフィニオン パッケージ
C-SOG-3
パッケージ名 SUPIR SMD
梱包サイズ N/A
梱包形態 N/A
MSL (湿度感受性レベル) N/A
防湿梱包 N/A
鉛フリー No
ハロゲンフリー No
RoHS対応 No

製品ステータス
Active
インフィニオン パッケージ
C-SOG-3
パッケージ名 SUPIR SMD
梱包サイズ 0
梱包形態
MSL (湿度感受性レベル) -
防湿梱包
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
IRHNS53160 is a rad hard R5 N-channel MOSFET in SupIR-SMD package. With a voltage rating of 100V and 75A current handling capabilities, this COTS MOSFET has electrical performance up to 300krad(Si) TID. Low RDS(on) and gate charge reduce power losses for switching applications like DC-DC converters and motor controllers. SEE characterization up to LET of 80MeV·cm2/mg.

アプリケーション

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ