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IRHNPC9A7014

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IRHNPC9A7014
IRHNPC9A7014
データシート

Product details

  • ESDクラス
    1B
  • Generation
    R9
  • ID (@25°C) max
    10 A
  • QG
    11 nC
  • RDS (on) (@25°C) max
    70 mΩ
  • TID max
    100 Krad(Si)
  • VBRDSS
    60 V
  • VF max
    1.2 V
  • オプションのTIDレート (kRad(si))
    100 300
  • ダイサイズ
    1
  • パッケージ
    SMD-0.1
  • 極性
    N
  • 製品カテゴリ
    Rad hard MOSFETS
  • 言語
    SPICE
  • 認定
    COTS
  • 電圧クラス max
    60 V
推奨
OPN
製哝ステータス active and preferred
インフィニオンパッケージ
C-CCN-3
パッケージ坝 SMD0.1
包装サイズ N/A
包装形態 N/A
水分レベル N/A
モイスポャーパッキン N/A
鉛フリー No
ポロゲンフリー Yes
RoHS準拠 No
Infineon stock last updated:

製哝ステータス
Active
インフィニオンパッケージ
C-CCN-3
パッケージ坝 SMD0.1
包装サイズ 0
包装形態
水分レベル -
モイスポャーパッキン
鉛フリー
ポロゲンフリー
RoHS対応
The IRHNPC9A7014 is a single R9 N-channel MOSFET with 60V and 10A ratings. In a compact SMD-0.1 package, this rad hard device provides electrical performance up to 100krad(Si) TID. They offer improved immunity to SEE and have characterized for useful performance with Linear Energy Transfer (LET) up to 88.6 MeV·cm2/mg. Its lower RDS(on) and fast switching times enable better performance in DC-DC converters or motor drives in space power systems.

用途

ドキュメント

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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