IRHNME9A3120
近日公開
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IRHNME9A3120

Rad hard, 100 V, 23 A, MOSFET in SMD-0.2e Ceramic Lid package – 300 krad TID, COTS

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IRHNME9A3120
IRHNME9A3120


製品仕様情報

  • ESDクラス
    Class 1C
  • Generation
    R9
  • ID (@25°C) (最大)
    23 A
  • QG
    23 nC
  • RDS (on) (@25°C) (最大)
    0.55 Ω
  • TID (最大)
    300 Krad(Si)
  • VBRDSS
    100 V
  • VF (Tvj=25°C typ) (最大)
    1.2 V
  • オプションのTIDレート (kRad(si))
    100 300
  • ダイサイズ
    1
  • パッケージ
    SMD-0.2e
  • 極性
    N
  • 認定
    COTS

OPN
製品ステータス coming soon
インフィニオン パッケージ
パッケージ名 SMD-0.2E CLID
梱包サイズ N/A
梱包形態 N/A
MSL (湿度感受性レベル) N/A
防湿梱包 N/A
鉛フリー No
ハロゲンフリー Yes
RoHS対応 No

製品ステータス coming soon
インフィニオン パッケージ
パッケージ名 SMD-0.2E CLID
梱包サイズ 0
梱包形態
MSL (湿度感受性レベル) -
防湿梱包
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
IRHNME9A3120 is a R9 superjunction, rad hard, single N-channel MOSFET in a SMD-0.2e package with a ceramic lid that can handle 100 V and 23 A. It is optimal for space applications as its combination of low RDS(on) and fast switching times will allow for betterperformance in applications such as DC-DC converter or motor drives.

特長

  • 5V CMOS and TTL compatible
  • Single event effect (SEE) hardened
  • Reduced CTE mismatch with PCB
  • Hermetically sealed
  • Ceramic package
  • Drop-in replacement to SMD-0.2 package
  • Light weight
  • ESD rating: Class 1A (MIL-STD-750, 1020)

アプリケーション

ドキュメント

設計リソース

開発者コミュニティ