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IRHNKC9A97034

データシート
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IRHNKC9A97034
IRHNKC9A97034
データシート

Product details

  • ESDクラス
    Class 2
  • Generation
    R9
  • ID (@25°C) max
    -32 A
  • QG
    48 nC
  • QPL型番
    2N7659U3CE
  • RDS (on) (@25°C) max
    45 mΩ
  • TID max
    100 Krad(Si)
  • VBRDSS
    -60 V
  • VF max
    -1.3 V
  • オプションのTIDレート (kRad(si))
    100 300
  • ダイサイズ
    3
  • パッケージ
    SMD-0.5e Ceramic Lid
  • 極性
    P
  • 認定
    COTS
推奨
OPN
製品ステータス active and preferred
インフィニオンパッケージ
C-CCN-3
パッケージ名 Enhanced SMD0.5
包装サイズ N/A
包装形態 N/A
水分レベル N/A
モイスチャーパッキン N/A
鉛フリー No
ハロゲンフリー Yes
RoHS準拠 No
Infineon stock last updated:

製品ステータス
Active
インフィニオンパッケージ
C-CCN-3
パッケージ名 Enhanced SMD0.5
包装サイズ 0
包装形態
水分レベル -
モイスチャーパッキン
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応
IRHNKC9A97034 P-channel MOSFET is rad hard, with -60V and -32A, in a single SMD-0.5e enhanced package with a ceramic lid and electrical performance up to 100krad(Si) TID. IR HiRel R9 technology provides proven flight-heritage in high reliability space applications. The device's low RDS(on) and low gate charge make it ideal for switching applications.

用途

ドキュメント

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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