IRHNKC9A93130
Active and preferred

IRHNKC9A93130

データシート
パッケージ

Content could not be loaded

Unfortunately, we were unable to load the content for this section. You may want to refresh the page or try again later.

IRHNKC9A93130
IRHNKC9A93130
データシート


製品仕様情報

  • ESDクラス
    Class 2
  • Generation
    R9
  • ID (@25°C) (最大)
    -24 A
  • QG
    50 nC
  • QPL型番
    2N7660U3CE
  • RDS (on) (@25°C) (最大)
    72 mΩ
  • TID (最大)
    300 Krad(Si)
  • VBRDSS
    -100 V
  • VF (最大)
    -1.3 V
  • オプションのTIDレート (kRad(si))
    100 300
  • ダイサイズ
    3
  • パッケージ
    SMD-0.5e
  • 極性
    P
  • 認定
    COTS

推奨
OPN
製品ステータス active and preferred
インフィニオン パッケージ
C-CCN-3
パッケージ名 Enhanced SMD0.5
梱包サイズ N/A
梱包形態 N/A
MSL (湿度感受性レベル) N/A
防湿梱包 N/A
鉛フリー No
ハロゲンフリー Yes
RoHS対応 No

製品ステータス
Active
インフィニオン パッケージ
C-CCN-3
パッケージ名 Enhanced SMD0.5
梱包サイズ 0
梱包形態
MSL (湿度感受性レベル) -
防湿梱包
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
IRHNKC9A93130 P-channel MOSFET is rad hard, with -100V and -24A, in a single SMD-0.5e enhanced package with a ceramic lid and electrical performance up to 300krad(Si) TID. IR HiRel R9 technology provides proven flight-heritage in high reliability space applications. The device's low RDS(on) and low gate charge make it ideal for switching applications.

アプリケーション

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ