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IRHNJ7430SE

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IRHNJ7430SE
IRHNJ7430SE
データシート

Product details

  • ESDクラス
    Class 1C
  • Generation
    R4
  • ID (@100°C) max
    2.8 A
  • ID (@25°C) max
    4.5 A
  • QG
    30 nC
  • QPL型番
    2N7466U3
  • RDS (on) (@25°C) max
    1600 mΩ
  • SEE
    Yes
  • TID max
    100 Krad(Si)
  • VBRDSS
    500 V
  • VF max
    1.2 V
  • オプションのTIDレート (kRad(si))
    100
  • コンフィギュレーション
    Discrete
  • ダイサイズ
    3
  • パッケージ
    SMD-0.5
  • 極性
    N
  • 製品カテゴリ
    Rad hard MOSFETS
  • 言語
    SPICE
  • 認定
    COTS
  • 電圧クラス
    100 V
推奨
OPN
製哝ステータス active and preferred
インフィニオンパッケージ
C-CCN-3
パッケージ坝 SMD-0.5 Metal Lid
包装サイズ N/A
包装形態 N/A
水分レベル N/A
モイスポャーパッキン N/A
鉛フリー No
ポロゲンフリー No
RoHS準拠 No
Infineon stock last updated:

製哝ステータス
Active
インフィニオンパッケージ
C-CCN-3
パッケージ坝 SMD-0.5 Metal Lid
包装サイズ 0
包装形態
水分レベル -
モイスポャーパッキン
鉛フリー
ポロゲンフリー
RoHS対応
The IRHNJ7430SE N-channel MOSFET is a single 500V, 4.5A device in a R4 SMD-0.5 package, with radiation hardeneing up to 100krad(Si) TID. It has low RDS(on) and low gate charge, making it ideal for DC-DC converters and motor control. The MOSFET has fast switching, voltage control, and stable electrical parameters.

用途

ドキュメント

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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