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IRHNJ7130

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IRHNJ7130
IRHNJ7130
データシート

Product details

  • ESDクラス
    Class 1C
  • Generation
    R4
  • ID (@100°C) max
    9.1 A
  • ID (@25°C) max
    14.4 A
  • QG
    40 nC
  • QPL型番
    2N7380U3
  • RDS (on) (@25°C) max
    180 mΩ
  • TID max
    100 Krad(Si)
  • VBRDSS
    100 V
  • VF max
    1.5 V
  • オプションのTIDレート (kRad(si))
    100 300 500
  • コンフィギュレーション
    Discrete
  • ダイサイズ
    3
  • パッケージ
    SMD-0.5
  • 極性
    N
  • 認定
    COTS
推奨
OPN
製品ステータス active and preferred
インフィニオンパッケージ
C-CCN-3
パッケージ名 SMD-0.5 Metal Lid
包装サイズ N/A
包装形態 N/A
水分レベル N/A
モイスチャーパッキン N/A
鉛フリー No
ハロゲンフリー No
RoHS準拠 No
Infineon stock last updated:

製品ステータス
Active
インフィニオンパッケージ
C-CCN-3
パッケージ名 SMD-0.5 Metal Lid
包装サイズ 0
包装形態
水分レベル -
モイスチャーパッキン
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応
IRHNJ7130 R4 MOSFET is a rad hard COTS device for space applications. With a 100V, 9.1A capacity and low RDS(on) and gate charge, it reduces power losses in high-speed switching applications such as DC-DC converters and motor control. Proven performance and reliability with Total Dose and SEE characterization. In a SMD-0.5 package, it is designed for easy integration.

用途

ドキュメント

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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