IRHNJ67230B
Active and preferred
RoHS対応

IRHNJ67230B

データシート
パッケージ

Content could not be loaded

Unfortunately, we were unable to load the content for this section. You may want to refresh the page or try again later.

IRHNJ67230B
IRHNJ67230B
データシート

製品仕様情報

  • ESDクラス
    Class 2
  • Generation
    R6
  • ID (@100°C) (最大)
    10 A
  • ID (@25°C) (最大)
    16 A
  • QG
    50 nC
  • QPL型番
    2N7591U3
  • RDS (on) (@25°C) (最大)
    130 mΩ
  • TID (最大)
    100 Krad(Si)
  • VBRDSS
    200 V
  • VF (最大)
    1.2 V
  • オプションのTIDレート (kRad(si))
    100 300
  • コンフィギュレーション
    Discrete
  • ダイサイズ
    3
  • パッケージ
    SMD-0.5
  • 極性
    N
  • 製品カテゴリ
    Rad hard MOSFETS
  • 言語
    SPICE
  • 認定
    COTS
  • 電圧クラス
    100 V
推奨
OPN
製品ステータス
インフィニオン パッケージ
パッケージ名
梱包サイズ
梱包形態
MSL (湿度感受性レベル)
防湿梱包
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応
Infineon stock last updated:
This rad hard N-channel R6 MOSFET in a SMD-0.5 package is designed for space applications. With a voltage rating of 200V and current rating of 16A, IRHNJ67230B boasts improved immunity to SEE and LET up to 90MeV·cm2/mg. It has low RDS(on) and faster switching times, making it ideal for high-speed switching applications. COTS rated and electrical performance up to 100krad(Si) TID.

アプリケーション

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ