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IRHNJ67130

データシート
パッケージ

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IRHNJ67130
IRHNJ67130
データシート

製品仕様情報

  • ESDクラス
    Class 2
  • Generation
    R6
  • ID (@100°C) (最大)
    19 A
  • ID (@25°C) (最大)
    22 A
  • QG
    50 nC
  • QPL型番
    2N7587U3
  • RDS (on) (@25°C) (最大)
    42 mΩ
  • TID (最大)
    100 Krad(Si)
  • VBRDSS
    100 V
  • VF (最大)
    1.2 V
  • オプションのTIDレート (kRad(si))
    100 300
  • コンフィギュレーション
    Discrete
  • ダイサイズ
    3
  • パッケージ
    SMD-0.5
  • 極性
    N
  • 製品カテゴリ
    Rad hard MOSFETS
  • 言語
    SPICE
  • 認定
    COTS
  • 電圧クラス
    100 V
推奨
OPN
製品ステータス
インフィニオンパッケージ
パッケージ名
包装サイズ
包装形態
水分レベル
モイスチャーパッキン
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
Infineon stock last updated:
This R6 MOSFET is a rad hard device with a 100V and 22A capacity, featuring a low RDS(on) and fast switching times. IRHNJ67130 has electrical performance up to 100krad(Si) TID and is a COTS device. Its improved immunity to Single Event Effects (SEE) and LET up to 90MeV·cm2/mg make it a reliable option for high-speed switching applications in space.

用途

ドキュメント

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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