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IRHNA7460SE

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IRHNA7460SE
IRHNA7460SE
データシート

Product details

  • ESD Class
    Class 3B
  • Generation
    R4
  • ID (@100°C) max
    12 A
  • ID (@25°C) max
    20 A
  • QG
    220 nC
  • RDS (on) (@25°C) max
    320 mΩ
  • SEE
    Yes
  • TID max
    100 Krad(Si)
  • VBRDSS
    500 V
  • VF max
    1.8 V
  • Optional TID Rating (kRad(si))
    100
  • Configuration
    Discrete
  • Die Size
    6
  • Package
    SMD-2
  • Polarity
    N
  • Qualification
    COTS
推奨
OPN
製品ステータス active and preferred
インフィニオンパッケージ
C-CCN-3
パッケージ名 SMD-2 standard
包装サイズ N/A
包装形態 N/A
水分レベル N/A
モイスチャーパッキン N/A
鉛フリー No
ハロゲンフリー No
RoHS準拠 No
Infineon stock last updated:

製品ステータス
Active
インフィニオンパッケージ
C-CCN-3
パッケージ名 SMD-2 standard
包装サイズ 0
包装形態
水分レベル -
モイスチャーパッキン
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応
IRHNA7460SE R4 MOSFET is a rad hard, single N-channel device with a 500V and 12A capacity, packaged in a SMD-2 package. A COTS part, it offers electrical performance up to 100krad(Si) TID. Its low RDS(on) and low gate charge make it ideal for switching applications, such as DC-DC converters and motor control, while retaining MOSFET advantages.

用途

ドキュメント

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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