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IRHNA7260

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IRHNA7260
IRHNA7260
データシート

Product details

  • ESDクラス
    Class 3B
  • Generation
    R4
  • ID (@100°C) max
    27 A
  • ID (@25°C) max
    43 A
  • QG
    290 nC
  • QPL型番
    2N7433U
  • RDS (on) (@25°C) max
    70 mΩ
  • TID max
    100 Krad(Si)
  • VBRDSS
    200 V
  • VF max
    1.8 V
  • オプションのTIDレート (kRad(si))
    100 300 500
  • コンフィギュレーション
    Discrete
  • ダイサイズ
    6
  • パッケージ
    SMD-2
  • 極性
    N
  • 製品カテゴリ
    Rad hard MOSFETS
  • 言語
    SPICE
  • 認定
    DLA
  • 電圧クラス
    100 V
推奨
OPN
製哝ステータス active and preferred
インフィニオンパッケージ
C-CCN-3
パッケージ坝 SMD-2 standard
包装サイズ N/A
包装形態 N/A
水分レベル N/A
モイスポャーパッキン N/A
鉛フリー No
ポロゲンフリー No
RoHS準拠 No
Infineon stock last updated:

製哝ステータス
Active
インフィニオンパッケージ
C-CCN-3
パッケージ坝 SMD-2 standard
包装サイズ 0
包装形態
水分レベル -
モイスポャーパッキン
鉛フリー
ポロゲンフリー
RoHS対応
IRHNA7260 R4 N-channel MOSFET is a rad hard, single device with 200V and 27A capacity. It comes in a hermetic SMD-2 package with electrical performance up to 100krad(Si) TID. Its low RDS(on) and gate charge make it ideal for switching applications with low power losses, and it has all the advantages of MOSFETs such as voltage control and temperature stability.

用途

ドキュメント

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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