IRHNA57260SED
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パッケージ

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IRHNA57260SED
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データシート


製品仕様情報

  • ESDクラス
    Class 3B
  • Generation
    R5
  • ID (@100°C) (最大)
    35 A
  • ID (@25°C) (最大)
    53.5 A
  • QG
    155 nC
  • QPL型番
    2N7473U2
  • RDS (on) (@25°C) (最大)
    38 mΩ
  • TID (最大)
    100 Krad(Si)
  • VBRDSS
    200 V
  • VF (最大)
    1.2 V
  • オプションのTIDレート (kRad(si))
    100
  • コンフィギュレーション
    Discrete
  • ダイサイズ
    6
  • パッケージ
    SMD-2
  • 極性
    N
  • 製品カテゴリ
    Rad hard MOSFETS
  • 言語
    SPICE
  • 認定
    COTS
  • 電圧クラス
    100 V

推奨
OPN
製品ステータス active and preferred
インフィニオン パッケージ
C-CCN-3
パッケージ名 SMD-2 on carrier
梱包サイズ N/A
梱包形態 N/A
MSL (湿度感受性レベル) N/A
防湿梱包 N/A
鉛フリー No
ハロゲンフリー No
RoHS対応 No

製品ステータス
Active
インフィニオン パッケージ
C-CCN-3
パッケージ名 SMD-2 on carrier
梱包サイズ 0
梱包形態
MSL (湿度感受性レベル) -
防湿梱包
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
IRHNA57260SED R5 N-channel MOSFET is a rad hard, single MOSFET with 200V and 35A ratings, ideal for space applications. With electrical performance up to 100krad(Si) TID, the low RDS(on) and low gate charge make it perfect for DC-to-DC converters and motor control. This rad hard COTS device also retains all of the MOSFET advantages such as voltage control, fast switching, and temperature stability;

アプリケーション

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ