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IRHN9150D

データシート
パッケージ

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IRHN9150D
IRHN9150D
データシート

製品仕様情報

  • ESDクラス
    Class 2
  • Generation
    R4
  • ID (@100°C) (最大)
    -14 A
  • ID (@25°C) (最大)
    -22 A
  • QG
    200 nC
  • QPL型番
    2N7422U
  • RDS (on) (@25°C) (最大)
    80 mΩ
  • TID (最大)
    100 Krad(Si)
  • VBRDSS
    -100 V
  • VF (最大)
    -3 V
  • オプションのTIDレート (kRad(si))
    100 300
  • コンフィギュレーション
    Discrete
  • ダイサイズ
    5
  • パッケージ
    SMD-1
  • 極性
    P
  • 製品カテゴリ
    Rad hard MOSFETS
  • 言語
    SPICE
  • 認定
    COTS
  • 電圧クラス
    100 V
推奨
OPN
製品ステータス
インフィニオンパッケージ
パッケージ名
包装サイズ
包装形態
水分レベル
モイスチャーパッキン
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
Infineon stock last updated:
IRHN9150D is a R4, rad hard, -100V, -22A, single, P-channel MOSFET in a SMD-1 package, on DBC carrier. It has electrical performance up to 100krad(Si) TID and has low RDS(on) and low gate charge, making it suitable for switching applications such as DC-DC converters and motor controllers, while retaining the advantages of MOSFETs.

用途

ドキュメント

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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