IRHN7150
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IRHN7150
IRHN7150
データシート

製品仕様情報

  • ESDクラス
    Class 3A
  • Generation
    R4
  • ID (@100°C) (最大)
    21 A
  • ID (@25°C) (最大)
    34 A
  • QG
    160 nC
  • QPL型番
    2N7268U
  • RDS (on) (@25°C) (最大)
    65 mΩ
  • TID (最大)
    100 Krad(Si)
  • VBRDSS
    100 V
  • VF (最大)
    1.4 V
  • オプションのTIDレート (kRad(si))
    100 300 500
  • コンフィギュレーション
    Discrete
  • ダイサイズ
    5
  • パッケージ
    SMD-1
  • 極性
    N
  • 製品カテゴリ
    Rad hard MOSFETS
  • 言語
    SPICE
  • 認定
    DLA
  • 電圧クラス
    100 V
推奨
OPN
製品ステータス
インフィニオン パッケージ
パッケージ名
梱包サイズ
梱包形態
MSL (湿度感受性レベル)
防湿梱包
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応
Infineon stock last updated:
IRHN7150 rad hard N-channel MOSFET, in the SMD-1 package, is designed to provide reliable performance for space applications. With a voltage rating of 100V and current handling capability of 34A, this R4 MOSFET offers low RDS(on) and low gate charge, which reduces power losses in DC-DC converters and motor control applications. It is COTS rated and provides electrical performance up to 100krad(Si) TID.

アプリケーション

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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