IRHMS57264SE
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IRHMS57264SE
IRHMS57264SE
データシート

製品仕様情報

  • ESDクラス
    Class 3A
  • Generation
    R5
  • ID (@100°C) (最大)
    23.5 A
  • ID (@25°C) (最大)
    37 A
  • QG
    165 nC
  • QPL型番
    2N7477T1
  • RDS (on) (@25°C) (最大)
    61 mΩ
  • TID (最大)
    100 Krad(Si)
  • VBRDSS
    250 V
  • VF (最大)
    1.2 V
  • オプションのTIDレート (kRad(si))
    100
  • コンフィギュレーション
    Discrete
  • ダイサイズ
    6
  • パッケージ
    TO-254AA Low Ohmic
  • 極性
    N
  • 製品カテゴリ
    Rad hard MOSFETS
  • 言語
    SPICE
  • 認定
    COTS
  • 電圧クラス
    100 V
推奨
OPN
製品ステータス
インフィニオン パッケージ
パッケージ名
梱包サイズ
梱包形態
MSL (湿度感受性レベル)
防湿梱包
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応
Infineon stock last updated:
IRHMS57264SE R5 N-channel MOSFET is a radiation-hardened device with a 250V voltage rating and 37A current rating. It is a single N-channel MOSFET that comes in a TO-254AA low ohmic package with electrical performance up to 100krad(Si) TID. Ideal for DC-DC converters and motor controllers, with low RDS(on) and gate charge that reduces power losses. Retains all advantages of MOSFETs and is COTS rated.

アプリケーション

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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