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IRHLF770Z4SCS

データシート
パッケージ

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IRHLF770Z4SCS
IRHLF770Z4SCS
データシート

製品仕様情報

  • ESDクラス
    Class 0
  • Generation
    R7
  • ID (@100°C) max
    1 A
  • ID (@25°C) max
    1.6 A
  • QG
    2.6 nC
  • RDS (on) (@25°C) max
    500 mΩ
  • TID max
    100 Krad(Si)
  • VBRDSS
    60 V
  • VF max
    1.2 V
  • オプションのTIDレート (kRad(si))
    100 300
  • コンフィギュレーション
    Discrete
  • ダイサイズ
    Z
  • パッケージ
    TO-205AF
  • 極性
    N
  • 製品カテゴリ
    Rad hard MOSFETS
  • 言語
    SPICE
  • 認定
    QIRL
  • 電圧クラス
    100 V
推奨
OPN
製品ステータス active and preferred
インフィニオンパッケージ
M-TO205-3
パッケージ名 TO-205AF (TO-39)
包装サイズ N/A
包装形態 N/A
水分レベル N/A
モイスチャーパッキン N/A
鉛フリー No
ハロゲンフリー No
RoHS準拠 No
Infineon stock last updated:

製品ステータス
Active
インフィニオンパッケージ
M-TO205-3
パッケージ名 TO-205AF (TO-39)
包装サイズ 0
包装形態
水分レベル -
モイスチャーパッキン
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応
IRHLF770Z4SCS N-channel MOSFET is a single rad hard device with a 60V and 1.6A rating. In a TO-205AF package, this space-qualified QIRL part offers electrical performance up to 100krad(Si) TID. Its low RDS(on) and gate chargemake it ideal for DC-DC converters and motor controllers in space applications, providing voltage control, fast switching, and temperature stability. LET performance is up to 90 MeV·cm2/mg.

用途

ドキュメント

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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