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IRHLF730Z4SCS

データシート
パッケージ

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IRHLF730Z4SCS
IRHLF730Z4SCS
データシート

製品仕様情報

  • ESDクラス
    Class 0
  • Generation
    R7
  • ID (@100°C) max
    1 A
  • ID (@25°C) max
    1.6 A
  • QG
    2.6 nC
  • RDS (on) (@25°C) max
    500 mΩ
  • TID max
    100 Krad(Si)
  • VBRDSS
    60 V
  • VF max
    1.2 V
  • オプションのTIDレート (kRad(si))
    100 300
  • コンフィギュレーション
    Discrete
  • ダイサイズ
    z
  • パッケージ
    TO-205AF
  • 極性
    N
  • 製品カテゴリ
    Rad hard MOSFETS
  • 言語
    SPICE
  • 認定
    QIRL
  • 電圧クラス
    100 V
推奨
OPN
製品ステータス
インフィニオンパッケージ
パッケージ名
包装サイズ
包装形態
水分レベル
モイスチャーパッキン
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
Infineon stock last updated:
IRHLF730Z4SCS N-channel MOSFET, in a TO-205AF package, is a radiation-hardened QIRL device ideal for space applications. With a 60V and 1.6A rating, these MOSFETs have electrical performance up to 100krad(Si) TID. The low RDS(on) and low gate charge make them suitable for DC-DC converters and motor controllers, while maintaining the advantages of MOSFETs.

用途

ドキュメント

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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