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IRHF67234

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IRHF67234
IRHF67234

製品仕様情報

  • ESDクラス
    Class 3A
  • Generation
    R6
  • ID (@100°C) max
    6 A
  • ID (@25°C) max
    9.5 A
  • QG
    51 nC
  • RDS (on) (@25°C) max
    250 mΩ
  • TID max
    100 Krad(Si)
  • VBRDSS
    250 V
  • VF max
    1.2 V
  • オプションのTIDレート (kRad(si))
    100 300
  • コンフィギュレーション
    Discrete
  • ダイサイズ
    3
  • パッケージ
    TO-205AF
  • 極性
    N
  • 製品カテゴリ
    Rad hard MOSFETS
  • 言語
    SPICE
  • 認定
    COTS
  • 電圧クラス
    100 V
OPN
製品ステータス
インフィニオンパッケージ
パッケージ名
包装サイズ
包装形態
水分レベル
モイスチャーパッキン
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
Infineon stock last updated:
IRHF67234 R6 N-channel MOSFET is a radiation-hardened device for space applications. With 250V and 9.5A rating, it provides high performance and low RDS(on) and gate charge. It is electrically stable up to 100krad(Si) TID and has COTS classification, making it ideal for DC-DC converters and motor controllers. LET of 90 MeV·cm2/mg provides high performance for Single Event Effects.

用途

ドキュメント

デザイン リソース

開発者コミュニティ

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