IRHF57133SE
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IRHF57133SE

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パッケージ

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IRHF57133SE
IRHF57133SE
データシート


製品仕様情報

  • ESDクラス
    Class 1C
  • Generation
    R5
  • ID (@100°C) (最大)
    6.5 A
  • ID (@25°C) (最大)
    10.5 A
  • QG
    48 nC
  • QPL型番
    2N7497T2
  • RDS (on) (@25°C) (最大)
    100 mΩ
  • TID (最大)
    100 Krad(Si)
  • VBRDSS
    130 V
  • VF (最大)
    1.2 V
  • オプションのTIDレート (kRad(si))
    100
  • コンフィギュレーション
    Discrete
  • ダイサイズ
    3
  • パッケージ
    TO-205AF
  • 極性
    N
  • 製品カテゴリ
    Rad hard MOSFETS
  • 言語
    SPICE
  • 認定
    COTS
  • 電圧クラス
    100 V

推奨
OPN
製品ステータス active and preferred
インフィニオン パッケージ
M-TO205-3
パッケージ名 TO-205AF (TO-39)
梱包サイズ N/A
梱包形態 N/A
MSL (湿度感受性レベル) N/A
防湿梱包 N/A
鉛フリー No
ハロゲンフリー No
RoHS対応 No

製品ステータス
Active
インフィニオン パッケージ
M-TO205-3
パッケージ名 TO-205AF (TO-39)
梱包サイズ 0
梱包形態
MSL (湿度感受性レベル) -
防湿梱包
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
The IRHF57133SE R5 N-channel MOSFET is ideally suited for space applications, with rad hard capability, and 130V and 10.5A ratings. Its low RDS(on) and gate charge reduce power losses in switching applications, while its proven 10-year performance record in satellite applications ensures reliability. Key advantages include fast switching, voltage control, and temperature stability.

アプリケーション

ドキュメント

設計リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ