IRFU1205

55V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a I-Pak package
データシート

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IRFU1205
IRFU1205
データシート

Product details

  • ID (@25°C) max
    44 A
  • Ptot max
    69 W
  • Qgd
    18 nC
  • QG (typ @10V)
    43.3 nC
  • RDS (on) (@10V) max
    27 mΩ
  • RthJC max
    1.8 K/W
  • Tj max
    175 °C
  • VDS max
    55 V
  • VGS(th)
    3 V
  • VGS max
    20 V
  • パッケージ
    IPAK (TO-251)
  • 実装
    THT
  • 極性
    N
OPN
製品ステータス
インフィニオンパッケージ
パッケージ名
包装サイズ
包装形態
水分レベル
モイスチャーパッキン
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
Infineon stock last updated:

利点

  • RoHS Compliant
  • Low RDS(on)
  • Industry-leading quality
  • Dynamic dv/dt Rating
  • Fast Switching
  • Fully Avalanche Rated
  • 175°C Operating Temperature

用途

ドキュメント

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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