IRFU1018E

IRFU1018E

60V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a I-Pak package
データシート

Content could not be loaded

Unfortunately, we were unable to load the content for this section. You may want to refresh the page or try again later.

IRFU1018E
IRFU1018E
データシート

製品仕様情報

  • ID (最大)
    79 A
  • ID (@ TC=25°C) (最大)
    79 A
  • ID (@ TC=100°C) (最大)
    56 A
  • Ptot (最大)
    110 W
  • Qgd
    12 nC
  • QG
    46 nC
  • RDS (on) (@10V) (最大)
    8.4 mΩ
  • RDS (on) (最大)
    8.4 mΩ
  • RthJC (最大)
    1.32 K/W
  • Tj (最大)
    175 °C
  • VDS (最大)
    60 V
  • VGS (最大)
    20 V
  • パッケージ
    IPAK (TO-251)
  • 実装
    THT
  • 極性
    N
OPN
製品ステータス
インフィニオン パッケージ
パッケージ名
梱包サイズ
梱包形態
MSL (湿度感受性レベル)
防湿梱包
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応
Infineon stock last updated:

利点

  • RoHS Compliant

アプリケーション

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

{ "ctalist":[ { "link" : "https://community.infineon.com/t5/forums/postpage/choose-node/true", "label" : "コミュニティに質問する", "labelEn" : "コミュニティに質問する" }, { "link" : "https://community.infineon.com/", "label" : "すべてのディスカッションを表示", "labelEn" : "すべてのディスカッションを表示" } ] }