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IRFR4620

200V Single N-Channel Power MOSFET in a D-Pak package
データシート
パッケージ
複数のパッケージが利用可能
EA.

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IRFR4620
IRFR4620
EA.
データシート

Product details

  • ID (@25°C) max
    24 A
  • Ptot max
    144 W
  • Qgd
    7.9 nC
  • QG (typ @10V)
    25 nC
  • RDS (on) (@10V) max
    78 mΩ
  • RthJC max
    1.045 K/W
  • Tj max
    175 °C
  • VDS max
    200 V
  • VGS(th)
    4 V
  • VGS max
    20 V
  • Package
    DPAK (TO-252)
  • Moisture Sensitivity Level
    1
  • Budgetary Price €/1k
    0.58
  • Operating Temperature
    -55 °C to 175 °C
  • Mounting
    SMD
  • Polarity
    N
推奨
OPN
IRFR4620TRLPBF IRFR4620PBF
製品ステータス active and preferred discontinued
インフィニオンパッケージ
DPAK
DPAK
パッケージ名 DPAK DPAK
包装サイズ 3000 3000
包装形態 TAPE & REEL LEFT TUBE
水分レベル 1 1
モイスチャーパッキン NON DRY NON DRY
鉛フリー No No
ハロゲンフリー Yes Yes
RoHS準拠 Yes Yes
Infineon stock last updated:
 EA. 在庫あり

製品ステータス
Active
インフィニオンパッケージ
DPAK
パッケージ名 DPAK
包装サイズ 3000
包装形態 TAPE & REEL LEFT
水分レベル 1
モイスチャーパッキン NON DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応
EA.
在庫あり

製品ステータス discontinued
インフィニオンパッケージ
DPAK
パッケージ名 DPAK
包装サイズ 3000
包装形態 TUBE
水分レベル 1
モイスチャーパッキン NON DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応
The IR MOSFET family of power MOSFETs utilizes proven silicon processes offering designers a wide portfolio of devices to support various applications such as DC motors, inverters, SMPS, lighting, load switches as well as battery powered applications.The devices are available in a variety of surface mount and through-hole packages with industry standard footprints for ease of design.

機能

  • Planar cell structure for wide SOA
  • Optimized for broadest availability
  • Product qualification according to JEDEC
  • Silicon optimized for applications
  • Industry standard surface mount package

利点

  • Increased ruggedness
  • Wide availability at distribution
  • Industry standard qualification level
  • High performance, low-frequency
  • Drop-in replacement with standard pinout

ドキュメント

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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