IRFR3505

55V Single N-Channel IR MOSFET in a D-Pak package
データシート

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IRFR3505
IRFR3505
データシート

Product details

  • ID max
    49 A
  • ID (@ TC=25°C) max
    71 A
  • ID (@ TC=100°C) max
    49 A
  • Ptot max
    140 W
  • Qgd
    22 nC
  • QG
    62 nC
  • RDS (on) max
    13 mΩ
  • RDS (on) (@10V) max
    13 mΩ
  • RthJC max
    1.09 K/W
  • Tj max
    175 °C
  • VDS max
    55 V
  • VGS max
    20 V
  • パッケージ
    DPAK (TO-252)
  • モイスチャー感度レベル
    1
  • 実装
    SMD
  • 極性
    N
OPN
製品ステータス
インフィニオンパッケージ
パッケージ名
包装サイズ
包装形態
水分レベル
モイスチャーパッキン
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
Infineon stock last updated:
The IR MOSFET family of power MOSFETs utilizes proven silicon processes offering designers a wide portfolio of devices to support various applications such as DC motors, inverters, SMPS, lighting, load switches as well as battery powered applications.The devices are available in a variety of surface mount and through-hole packages with industry standard footprints for ease of design.

機能

  • Planar cell structure for wide SOA
  • Optimized for broadest availability from distribution partners
  • Product qualification according to JEDEC standard
  • Silicon optimized for applications switching below <100kHz
  • Industry standard surface mount package

利点

  • Increased ruggedness
  • Wide availability from distribution partners
  • Industry standard qualification level
  • High performance in low frequency applications
  • Standard pinout allows for drop in replacement

用途

ドキュメント

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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