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IRFL024N
生産終了
生産終了
RoHS対応

IRFL024N

生産終了
55V Single N-Channel IR MOSFET in a SOT-223 package
データシート
パッケージ

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IRFL024N
IRFL024N
データシート

製品仕様情報

  • ID (@25°C) (最大)
    4 A
  • Ptot (@ TA=25°C) (最大)
    2.1 W
  • Qgd
    5.1 nC
  • QG (typ @10V)
    12.2 nC
  • RDS (on) (@10V) (最大)
    75 mΩ
  • RthJA (最大)
    60 K/W
  • Tj (最大)
    150 °C
  • VDS (最大)
    55 V
  • VGS(th) 範囲
    2 V～4 V
  • VGS(th)
    3 V
  • VGS (最大)
    20 V
  • パッケージ
    SOT-223
  • モイスチャー感度レベル
    1
  • 予算価格€/ 1k
    0.18
  • 動作温度 範囲
    -55 °C～150 °C
  • 実装
    SMD
  • 極性
    N
  • 特別な機能
    Small Power
OPN
IRFL024NTRPBF
製品ステータス discontinued
インフィニオン パッケージ
SOT223
パッケージ名 SOT-223
梱包サイズ 2500
梱包形態 TAPE & REEL
MSL (湿度感受性レベル) N/A
防湿梱包 NON DRY
鉛フリー No
ハロゲンフリー Yes
RoHS対応 Yes
Infineon stock last updated:

製品ステータス discontinued
インフィニオン パッケージ
SOT223
パッケージ名 SOT-223
梱包サイズ 2500
梱包形態 TAPE & REEL
MSL (湿度感受性レベル) -
防湿梱包 NON DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
The IR MOSFET family of power MOSFETs utilizes proven silicon processes offering designers a wide portfolio of devices to support various applications such as DC motors, inverters, SMPS, lighting, load switches as well as battery powered applications.The devices are available in a variety of surface mount and through-hole packages with industry standard footprints for ease of design.

特長

  • Planar cell structure for wide SOA
  • Optimized for broadest availability from distribution partners
  • Product qualification according to JEDEC standard
  • Silicon optimized for applications switching below <100kHz
  • Industry standard surface mount package

利点

  • Increased ruggedness
  • Wide availability from distribution partners
  • Industry standard qualification level
  • High performance in low frequency applications
  • Standard pinout allows for drop in replacement

アプリケーション

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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