IRFHM8330

30V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a 3.3mm X 3.3mm PQFN package
データシート

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IRFHM8330
IRFHM8330
データシート

Product details

  • ID (@25°C) max
    55 A
  • Ptot (@ TA=25°C) max
    2.7 W
  • Ptot max
    33 W
  • Qgd
    2.5 nC
  • QG (typ @4.5V)
    9.3 nC
  • RDS (on) (@10V) max
    6.6 mΩ
  • RDS (on) (@4.5V) max
    9.9 mΩ
  • RthJC max
    3.8 K/W
  • Tj max
    150 °C
  • VDS max
    30 V
  • VGS(th)
    1.8 V
  • VGS max
    20 V
  • パッケージ
    PQFN 3.3 x 3.3
  • モイスチャー感度レベル
    1
  • 実装
    SMD
  • 極性
    N
OPN
製品ステータス
インフィニオンパッケージ
パッケージ名
包装サイズ
包装形態
水分レベル
モイスチャーパッキン
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
Infineon stock last updated:

用途

ドキュメント

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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