IRF7807A

30V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a SO-8 package
データシート

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IRF7807A
IRF7807A
データシート

製品仕様情報

  • ID (@ TA=25°C) (最大)
    6.6 A
  • ID (@ TA=70°C) (最大)
    6.6 A
  • Ptot (@ TA=25°C) (最大)
    2.5 W
  • Qgd
    2.9 nC
  • QG
    12 nC
  • RDS (on) (@4.5V) (最大)
    25 mΩ
  • RthJA (最大)
    50 K/W
  • Tj (最大)
    150 °C
  • VDS (最大)
    30 V
  • VGS (最大)
    12 V
  • パッケージ
    SO-8
  • モイスチャー感度レベル
    1
  • 実装
    SMD
  • 極性
    N
OPN
製品ステータス
インフィニオンパッケージ
パッケージ名
包装サイズ
包装形態
水分レベル
モイスチャーパッキン
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
Infineon stock last updated:

利点

  • RoHS Compliant
  • Industry-leading quality
  • Low Switching Losses
  • Low Conduction Losses

用途

ドキュメント

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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