IRF7478

60V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a SO-8 package
データシート

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IRF7478
IRF7478
データシート

製品仕様情報

  • ID (@25°C) (最大)
    7 A
  • Ptot (@ TA=25°C) (最大)
    2.5 W
  • Qgd
    9.6 nC
  • QG (typ @4.5V)
    21 nC
  • RDS (on) (@10V) (最大)
    26 mΩ
  • RDS (on) (@4.5V) (最大)
    30 mΩ
  • RthJA (最大)
    50 K/W
  • Tj (最大)
    150 °C
  • VDS (最大)
    60 V
  • VGS(th) (範囲)
    1 V ～ 3 V
  • VGS(th)
    2 V
  • VGS (最大)
    20 V
  • パッケージ
    SO-8
  • モイスチャー感度レベル
    1
  • 実装
    SMD
  • 極性
    N
OPN
製品ステータス
インフィニオンパッケージ
パッケージ名
包装サイズ
包装形態
水分レベル
モイスチャーパッキン
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
Infineon stock last updated:

利点

  • RoHS Compliant
  • Industry-leading quality
  • Fast Switching
  • Low Profile (less than 1.1mm)
  • SOT-23 Footprint

用途

ドキュメント

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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