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終息
生産中止
RoHS準拠
鉛フリー

IRF7317

終息
20V Dual N- and P- Channel HEXFET Power MOSFET in a SO-8 package
データシート
パッケージ

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IRF7317
IRF7317
データシート

Product details

  • ID (@25°C) max
    -5.3 A, 6.6 A
  • Ptot (@ TA=25°C) max
    2 W
  • Qgd (typ)
    7.7 nC, 6.2 nC
  • QG (typ @4.5V)
    19 nC, 18 nC
  • RDS (on) (@4.5V) max
    29 mΩ, 58 mΩ
  • RthJA max
    62.5 K/W
  • Tj max
    150 °C
  • VDS max
    -20 V, 20 V
  • VGS(th) min
    -0.7 V, 0.7 V
  • VGS max
    12 V
  • Package
    SO-8
  • Moisture Sensitivity Level
    1
  • Budgetary Price €/1k
    0.34
  • Polarity
    N+P
OPN
IRF7317TRPBF IRF7317PBF
製品ステータス discontinued obsolete
インフィニオンパッケージ
SO8
SO8
パッケージ名 SO-8 SO-8
包装サイズ 4000 3800
包装形態 TAPE & REEL TUBE
水分レベル 1 1
モイスチャーパッキン NON DRY NON DRY
鉛フリー Yes Yes
ハロゲンフリー Yes Yes
RoHS準拠 Yes Yes
Infineon stock last updated:

製品ステータス discontinued
インフィニオンパッケージ
SO8
パッケージ名 SO-8
包装サイズ 4000
包装形態 TAPE & REEL
水分レベル 1
モイスチャーパッキン NON DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応

製品ステータス obsolete
インフィニオンパッケージ
SO8
パッケージ名 SO-8
包装サイズ 3800
包装形態 TUBE
水分レベル 1
モイスチャーパッキン NON DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応

利点

  • RoHS Compliant
  • Low RDS(on)
  • Dynamic dv/dt Rating
  • Fast Switching
  • Dual N and P-Channel MOSFET

用途

ドキュメント

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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