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IRF7317
生産終了
生産終了
RoHS対応
鉛フリー

IRF7317

生産終了
20V Dual N- and P- Channel HEXFET Power MOSFET in a SO-8 package
パッケージ

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IRF7317
IRF7317

製品仕様情報

  • ID (@25°C) (最大)
    -5.3 A, 6.6 A
  • Ptot (@ TA=25°C) (最大)
    2 W
  • Qgd (typ)
    7.7 nC, 6.2 nC
  • QG (typ @4.5V)
    19 nC, 18 nC
  • RDS (on) (@4.5V) (最大)
    29 mΩ, 58 mΩ
  • RthJA (最大)
    62.5 K/W
  • Tj (最大)
    150 °C
  • VDS (最大)
    -20 V, 20 V
  • VGS(th) (最小)
    -0.7 V, 0.7 V
  • VGS (最大)
    12 V
  • パッケージ
    SO-8
  • モイスチャー感度レベル
    1
  • 予算価格€/ 1k
    0.34
  • 極性
    N+P
OPN
IRF7317TRPBF IRF7317PBF
製品ステータス discontinued obsolete
インフィニオン パッケージ
SO8
SO8
パッケージ名 SO-8 SO-8
梱包サイズ 4000 3800
梱包形態 TAPE & REEL TUBE
MSL (湿度感受性レベル) N/A N/A
防湿梱包 NON DRY NON DRY
鉛フリー Yes Yes
ハロゲンフリー Yes Yes
RoHS対応 Yes Yes
Infineon stock last updated:

製品ステータス discontinued
インフィニオン パッケージ
SO8
パッケージ名 SO-8
梱包サイズ 4000
梱包形態 TAPE & REEL
MSL (湿度感受性レベル) -
防湿梱包 NON DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠

製品ステータス obsolete
インフィニオン パッケージ
SO8
パッケージ名 SO-8
梱包サイズ 3800
梱包形態 TUBE
MSL (湿度感受性レベル) -
防湿梱包 NON DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠

利点

  • RoHS Compliant
  • Low RDS(on)
  • Dynamic dv/dt Rating
  • Fast Switching
  • Dual N and P-Channel MOSFET

アプリケーション

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ