IRF1405
アクティブ
RoHS対応

IRF1405

55V Single N-Channel Power MOSFET in a TO-220 package
個.
在庫あり

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IRF1405
IRF1405
個.

製品仕様情報

  • ID (@25°C) (最大)
    169 A
  • Ptot (最大)
    200 W
  • Qgd
    62 nC
  • QG (typ @10V)
    170 nC
  • RDS (on) (@10V) (最大)
    5.3 mΩ
  • RthJC (最大)
    0.45 K/W
  • Tj (最大)
    175 °C
  • VDS (最大)
    55 V
  • VGS(th) 範囲
    2 V~4 V
  • VGS(th)
    3 V
  • VGS (最大)
    20 V
  • パッケージ
    TO-220
  • 予算価格€/ 1k
    0.69
  • 動作温度 範囲
    -55 °C~175 °C
  • 実装
    THT
  • 極性
    N
  • 特別な機能
    Wide SOA
OPN
IRF1405PBF
製品ステータス active
インフィニオン パッケージ
パッケージ名 TO220
梱包サイズ 1000
梱包形態 TUBE
MSL (湿度感受性レベル) NA
防湿梱包 NON DRY
鉛フリー No
ハロゲンフリー Yes
RoHS対応 Yes
Infineon stock last updated:
個. 在庫あり

製品ステータス
Active
インフィニオン パッケージ
パッケージ名 TO220
梱包サイズ 1000
梱包形態 TUBE
MSL (湿度感受性レベル) NA
防湿梱包 NON DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
個.
在庫あり
The IR MOSFET family of power MOSFETs utilizes proven silicon processes offering designers a wide portfolio of devices to support various applications such as DC motors, inverters, SMPS, lighting, load switches as well as battery powered applications.The devices are available in a variety of surface mount and through-hole packages with industry standard footprints for ease of design.

特長

  • Planar cell structure for wide SOA
  • Optimized for broadest availability
  • Product qualification according to JEDEC
  • Silicon optimized for applications
  • Industry standard through-hole power
  • High-current rating

利点

  • Increased ruggedness
  • Wide availability at distribution
  • Industry standard qualification
  • High performance, low-frequency
  • Standard pin-out, drop-in replacement
  • High current capability

アプリケーション

ドキュメント

デザイン リソース

開発者コミュニティ

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