IRF1018ESL

60V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-262 package
データシート

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IRF1018ESL
IRF1018ESL
データシート

Product details

  • ID (@ TC=25°C) max
    79 A
  • ID (@ TC=100°C) max
    56 A
  • ID max
    56 A
  • Ptot max
    110 W
  • Qgd
    12 nC
  • QG
    46 nC
  • RDS (on) max
    8.4 mΩ
  • RDS (on) (@10V) max
    8.4 mΩ
  • RthJC max
    1.32 K/W
  • Tj max
    175 °C
  • VDS max
    60 V
  • VGS max
    20 V
  • パッケージ
    I2PAK (TO-262)
  • 実装
    THT
  • 極性
    N
OPN
製品ステータス
インフィニオンパッケージ
パッケージ名
包装サイズ
包装形態
水分レベル
モイスチャーパッキン
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
Infineon stock last updated:

利点

  • RoHS Compliant

用途

ドキュメント

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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