IQD016N08NM5
Active and preferred
RoHS対応

IQD016N08NM5

OptiMOS™ power MOSFETs 80 V in PQFN 5x6 Source-Down package with very low RDS(on).
データシート
パッケージ
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在庫あり

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IQD016N08NM5
IQD016N08NM5
個.
データシート

製品仕様情報

  • ID (@25°C) (最大)
    323 A
  • IDpuls (最大)
    1292 A
  • Ptot (最大)
    333 W
  • QG (typ @10V)
    106 nC
  • RDS (on) (@10V) (最大)
    1.57 mΩ
  • VDS (最大)
    80 V
  • VGS(th) 範囲
    2.2 V～3.8 V
  • VGS(th)
    3 V
  • パッケージ
    PQFN 5x6 Source-Down
  • 予算価格€/ 1k
    1.88
  • 動作温度 範囲
    -55 °C～175 °C
  • 実装
    SMD
  • 極性
    N
推奨
OPN
IQD016N08NM5ATMA1
製品ステータス active and preferred
インフィニオン パッケージ
PG-TSON-8
パッケージ名 PQFN 5x6 Source-Down
梱包サイズ 5000
梱包形態 TAPE & REEL
MSL (湿度感受性レベル) 1
防湿梱包 NON DRY
鉛フリー No
ハロゲンフリー Yes
RoHS対応 Yes
Infineon stock last updated:
 個. 在庫あり

製品ステータス
Active
インフィニオン パッケージ
PG-TSON-8
パッケージ名 PQFN 5x6 Source-Down
梱包サイズ 5000
梱包形態 TAPE & REEL
MSL (湿度感受性レベル) 1
防湿梱包 NON DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
個.
在庫あり
The power MOSFET IQD016N08NM5 comes in a PQFN 5x6 Source-Down package. The part offers a very low RDS(on) of 1,6 mOhm combined with outstanding thermal performance for easy power loss management. This enables higher system efficiency and power density for a large variety of end applications like SMPS, battery-powered applications, battery management, and low-voltage drives.

特長

  • Cutting edge 80 V silicon technology
  • Outstanding FOMs
  • Improved thermal performance
  • Ultra-low parasitics
  • Maximized chip/package ratio
  • Standard-Gate footprint

利点

  • Minimized conduction losses
  • Reduced voltage overshoot
  • Increased maximum current capability
  • Fast switching
  • Less device paralleling required
  • Lowest RDS(on) on a 5x6 footprint
  • Improved thermal performance
  • Easy thermal management
  • Best switching performance
  • Industry-standard package

アプリケーション

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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