IPP60R330P6

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データシート

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IPP60R330P6
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データシート

製品仕様情報

  • ID (@25°C) (最大)
    12 A
  • ID (最大)
    12 A
  • IDpuls (最大)
    33 A
  • Ptot (最大)
    93 W
  • QG
    22 nC
  • QG (typ @10V)
    22 nC
  • RDS (on) (最大)
    330 mΩ
  • RDS (on) (@10V) (最大)
    330 mΩ
  • RthJA (最大)
    62 K/W
  • RthJC (最大)
    1.35 K/W
  • Rth
    1.35 K/W
  • VDS (最大)
    600 V
  • VGS(th) 範囲
    3.5 V～4.5 V
  • パッケージ
    TO-220
  • ピン数
    3 Pins
  • 動作温度 (最小)
    -55 °C
  • 実装
    THT
  • 極性
    N
OPN
製品ステータス
インフィニオン パッケージ
パッケージ名
梱包サイズ
梱包形態
MSL (湿度感受性レベル)
防湿梱包
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応
Infineon stock last updated:
Infineons CoolMOS™ P6 superjunction MOSFET family is designed to enable higher system efficiency whilst being easy to design in. CoolMOS™ P6 closes the gap between technologies which focus on delivering ultimate performance and those which concentrate more on ease-of-use.

特長

  • Reduced gate charge (Q g)
  • Higher V th
  • Good body diode ruggedness
  • Optimized integrated R g
  • Improved dv/dt from 50V/ns
  • CoolMOS™ quality with over 12 years manufacturing experience in superjunction technology

利点

  • Improved effciency especially in light load condition
  • Better efficiency in soft switching applications due to earlier turn-off
  • Suitable for hard- & soft-switching topologies
  • Optimized balance of efficiency and ease of use and good controllability of switching behavior
  • High robustness and better efficiency
  • Outstanding quality & reliability

アプリケーション

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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