Active and preferred
RoHS準拠

IPN60R360P7S

Combining excellent performance and ease-of-use
データシート
パッケージ
ボード
EA.
在庫あり

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IPN60R360P7S
IPN60R360P7S
EA.
データシート

Product details

  • ID (@25°C) max
    9 A
  • ID max
    9 A
  • IDpuls max
    26 A
  • Ptot max
    7 W
  • Qgd
    4 nC
  • QG
    13 nC
  • QG (typ @10V)
    13 nC
  • RDS (on) (@ Tj = 25°C)
    300 mΩ
  • RthJA max
    160 K/W
  • VDS max
    600 V
  • VGS(th)
    3.5 V
  • パッケージ
    SOT-223-3
  • ピン数
    3 Pins
  • 予算価格€/ 1k
    0.29
  • 動作温度
    -40 °C to 150 °C
  • 実装
    SMT
  • 極性
    N
  • 特別な機能
    Price-performance
推奨
OPN
IPN60R360P7SATMA1
製品ステータス active and preferred
インフィニオンパッケージ
PG-SOT223-3
パッケージ名 SOT-223-3
包装サイズ 3000
包装形態 TAPE & REEL
水分レベル 1
モイスチャーパッキン NON DRY
鉛フリー No
ハロゲンフリー Yes
RoHS準拠 Yes
Infineon stock last updated:
 EA. 在庫あり

製品ステータス
Active
インフィニオンパッケージ
PG-SOT223-3
パッケージ名 SOT-223-3
包装サイズ 3000
包装形態 TAPE & REEL
水分レベル 1
モイスチャーパッキン NON DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応
EA.
在庫あり
The 600 V CoolMOS™ P7 superjunction (SJ) MOSFET family is a general-purpose series, targeting a broad variety of applications, ranging from low-power SMPS up to the highest power levels. In the low-power arena, it is the successor of 600 V CoolMOS™ CE, while for high power SPMS applications, it is the replacement for 600 V CoolMOS™ P6. CoolMOS™ P7 is Infineon’s most well-balanced technology combining ease of use and efficiency performance.

機能

  • CoolMOS™ 7 series
  • low gate charge
  • low stored energy in COSS
  • integrated gate resistor
  • Fieldproven CoolMOS™ quality
  • CoolMOS™ since 1998

利点

  • better control
  • high efficiency @ hard switching
  • higher power density
  • MOSFET suits hard & resonant topologies
  • Enables high power density
  • Low cost DPak alternative

ドキュメント

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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