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代替品
生産終了
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鉛フリー

IPI030N10N3 G

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IPI030N10N3 G
IPI030N10N3 G
代替品
データシート

Product details

  • Ciss
    11100 pF
  • Coss
    1940 pF
  • ID (@25°C) max
    100 A
  • IDpuls max
    400 A
  • Ptot max
    300 W
  • QG (typ @10V)
    155 nC
  • RDS (on) (@10V) max
    3 mΩ
  • Rth
    0.5 K/W
  • VDS max
    100 V
  • VGS(th)
    2.7 V
  • パッケージ
    I2PAK (TO-262)
  • 予算価格€/ 1k
    2.43
  • 動作温度
    -55 °C to 175 °C
  • 極性
    N
OPN
IPI030N10N3GXKSA1
製品ステータス discontinued
インフィニオンパッケージ
PG-TO262-3
パッケージ名 I2PAK
包装サイズ 500
包装形態 TUBE
水分レベル NA
モイスチャーパッキン NON DRY
鉛フリー Yes
ハロゲンフリー Yes
RoHS準拠 Yes
Infineon stock last updated:
代替品

製品ステータス discontinued
インフィニオンパッケージ
PG-TO262-3
パッケージ名 I2PAK
包装サイズ 500
包装形態 TUBE
水分レベル NA
モイスチャーパッキン NON DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応
代替品
Infineon's 100V OptiMOS™ power MOSFETs offer superior solutions for high efficiency, high power-density SMPS. Compared to the next best technology this family achieves a reduction of 30% in both R DS(on) and FOM (figure of merit).

機能

  • Excellent switching performance
  • World’s lowest RDS(on)
  • Very low Qg and Qgd
  • Excellent gate charge x RDS(on) product (FOM)
  • RoHS compliant-halogen free
  • MSL1 rated 2

利点

  • Environmentally friendly
  • Increased efficiency
  • Highest power density
  • Less paralleling required
  • Smallest board-space consumption
  • Easy-to-design products

用途

ドキュメント

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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