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代替品
生産終了
生産終了
RoHS準拠

IPG20N04S4-09

生産終了
40 V, Dual N-Ch, 8.6 mΩ max, Automotive MOSFET, Dual SSO8 (5x6), OptiMOS™-T2
データシート
パッケージ
代替品

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IPG20N04S4-09
IPG20N04S4-09
代替品
データシート

Product details

  • ID (@25°C) max
    20 A
  • IDpuls max
    80 A
  • Ptot max
    54 W
  • QG (typ @10V)
    21.7 nC
  • RDS (on) (@10V) max
    8.6 mΩ
  • RthJC max
    2.8 K/W
  • VDS max
    40 V
  • VGS(th)
    3 V
  • パッケージ
    dual SS08 (PG-TDSON-8)
  • 予算価格€/ 1k
    0.53
  • 動作温度
    -55 °C to 175 °C
  • 技術
    OptiMOS™-T2
  • 極性
    N+N
  • 認定
    Automotive
OPN
IPG20N04S409ATMA1
製品ステータス discontinued
インフィニオンパッケージ
PG-TDSON-8
パッケージ名 Dual SSO8
包装サイズ 5000
包装形態 TAPE & REEL
水分レベル 1
モイスチャーパッキン NON DRY
鉛フリー No
ハロゲンフリー Yes
RoHS準拠 Yes
Infineon stock last updated:
代替品

製品ステータス discontinued
インフィニオンパッケージ
PG-TDSON-8
パッケージ名 Dual SSO8
包装サイズ 5000
包装形態 TAPE & REEL
水分レベル 1
モイスチャーパッキン NON DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応

機能

  • Dual N-ch-Normal Level-Enhancement mode
  • Automotive AEC Q101 qualified
  • MSL1 up to 260°C peak reflow
  • 175°C operating temperature
  • Green Product (RoHS compliant)
  • 100% Avalanche tested
  • PPAP Capable Device

利点

  • Large source lead for wire bonding
  • Equal performance to DPAK, same die size
  • Exposed pad for thermal transfer
  • 2 N-Channel MOSFETs; Isolated Leadframes

用途

ドキュメント

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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