IPF018N10NM5LF2
Active and preferred
RoHS対応

IPF018N10NM5LF2

OptiMOS™ 5 single N-channel Linear FET 2 100 V, 1,8 mΩ, 259 A in D²PAK 7-pin
データシート
パッケージ
個.
在庫あり

Content could not be loaded

Unfortunately, we were unable to load the content for this section. You may want to refresh the page or try again later.

IPF018N10NM5LF2
IPF018N10NM5LF2
個.
データシート

製品仕様情報

  • ID (@25°C) (最大)
    259 A
  • QG (typ @10V)
    165 nC
  • RDS (on) (@10V) (最大)
    1.8 mΩ
  • VDS (最大)
    100 V
  • VGS(th) 範囲
    2.3 V～3.9 V
  • VGS(th)
    3.1 V
  • パッケージ
    D2PAK 7pin (TO-263 7pin)
  • 動作温度 範囲
    -55 °C～175 °C
  • 極性
    N
  • 特別な機能
    Wide SOA
推奨
OPN
IPF018N10NM5LF2ATMA1
製品ステータス active and preferred
インフィニオン パッケージ
PG-TO263-7
パッケージ名 D2PAK 7-pin
梱包サイズ 1000
梱包形態 TAPE & REEL
MSL (湿度感受性レベル) 1
防湿梱包 NON DRY
鉛フリー No
ハロゲンフリー Yes
RoHS対応 Yes
Infineon stock last updated:
 個. 在庫あり

製品ステータス
Active
インフィニオン パッケージ
PG-TO263-7
パッケージ名 D2PAK 7-pin
梱包サイズ 1000
梱包形態 TAPE & REEL
MSL (湿度感受性レベル) 1
防湿梱包 NON DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
個.
在庫あり
The OptiMOS™ 5 Linear FET 2 technology enables best-in-class trade-off between on-state resistance and linear mode capability. Combined with the D2PAK 7-pin package, IPF018N10NM5LF2 is designed for inrush current protection applications such as hot-swap, e-fuse, and battery protection in Battery management systems (BMS).

特長

  • Wide safe operating area (SOA)
  • Low RDS(on)
  • Lower IGSS compared to Linear FET
  • Optimized transfer characteristic

利点

  • Rugged linear mode operation
  • Low condition losses
  • Improved gate driver compatibility
  • Better current sharing
ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ