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RoHS準拠
鉛フリー

IPDQ60R010S7

Lowest RDS(on) 600 V SJ MOSFET in the novel top-side- cooled QDPAK, ideal for low-frequency switching applications & solid-state solutions
データシート
パッケージ
EA.
在庫あり

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IPDQ60R010S7
IPDQ60R010S7
EA.
データシート

Product details

  • ID max
    50 A
  • IDpuls max
    801 A
  • Ptot max
    694 W
  • QG (typ @10V)
    318 nC
  • QG
    318 nC
  • RDS (on) (@ Tj = 25°C)
    9 mΩ
  • VDS max
    600 V
  • VGS(th)
    4 V
  • パッケージ
    Q-DPAK
  • ピン数
    22 Pins
  • 予算価格€/ 1k
    11.2
  • 動作温度
    -55 °C to 150 °C
  • 実装
    SMT
  • 極性
    N
  • 特別な機能
    Slow switching
推奨
OPN
IPDQ60R010S7XTMA1
製品ステータス active
インフィニオンパッケージ
PG-HDSOP-22
パッケージ名 Q-DPAK
包装サイズ 750
包装形態 TAPE & REEL
水分レベル 1
モイスチャーパッキン NON DRY
鉛フリー Yes
ハロゲンフリー Yes
RoHS準拠 Yes
Infineon stock last updated:
 EA. 在庫あり

製品ステータス
Active
インフィニオンパッケージ
PG-HDSOP-22
パッケージ名 Q-DPAK
包装サイズ 750
包装形態 TAPE & REEL
水分レベル 1
モイスチャーパッキン NON DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応
EA.
在庫あり
The 600 V CoolMOS™ S7 SJ MOSFET family is optimized for low conduction losses and features the lowest RDS(on) in the market when it comes to high-voltage SJ MOSFETs. It comes with an unprecedented RDS(on) x price figure of merit and is a perfect fit for solid-state circuit breakers and relays, PLCs, battery protection, and active bridge rectification in high-power power supplies.

機能

  • Lowest RDS(on)
  • Compact top-side-cooled QDPAK package
  • Optimized for conduction performance
  • Improved thermal resistance
  • High pulse current capability
  • Kelvin-source for high current switching

利点

  • Minimal conduction losses
  • Increases energy efficiency
  • More compact and easier designs
  • Eliminates or reduces heat sinks
  • Lower TCO or BOM Cost

ドキュメント

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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