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IPD65R1K4CFD

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IPD65R1K4CFD
IPD65R1K4CFD
代替品
データシート

Product details

  • ID (@25°C) max
    2.8 A
  • ID max
    2.8 A
  • IDpuls max
    8.2 A
  • Ptot max
    28.4 W
  • QG
    10 nC
  • QG (typ @10V)
    10 nC
  • RDS (on) max
    1400 mΩ
  • RDS (on) (@10V) max
    1400 mΩ
  • RthJA max
    62 K/W
  • RthJC max
    4.4 K/W
  • Rth
    4.4 K/W
  • VDS max
    650 V
  • VGS(th)
    3.5 V to 4.5 V
  • パッケージ
    DPAK, DPAK
  • ピン数
    3 Pins
  • 動作温度 min
    -55 °C
  • 実装
    SMT
  • 極性
    N
  • 特別な機能
    fast recovery diode, fast recovery diode
OPN
IPD65R1K4CFDATMA2
製品ステータス discontinued
インフィニオンパッケージ
PG-TO252-3
パッケージ名 DPAK
包装サイズ 2500
包装形態 TAPE & REEL
水分レベル 1
モイスチャーパッキン NON DRY
鉛フリー No
ハロゲンフリー Yes
RoHS準拠 Yes
Infineon stock last updated:
代替品

製品ステータス discontinued
インフィニオンパッケージ
PG-TO252-3
パッケージ名 DPAK
包装サイズ 2500
包装形態 TAPE & REEL
水分レベル 1
モイスチャーパッキン NON DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応
代替品
Replacement for 650V CoolMOS™ CFD2 is 600V CoolMOS™ CFD7 650V CoolMOS™ CFD2 is Infineon's second generation of market leading high voltage CoolMOS™ MOSFETs with integrated fast body diode. The CFD2 devices are the successor of 600V CFD with improved energy efficiency. The softer commutation behavior and therefore better EMI behavior gives this product a clear advantage in comparison with competitor parts.

機能

  • 650V technology with integrated fast body diode
  • Limited voltage overshoot during hard commutation
  • Significant Qg reduction compared to 600V CFD technology
  • Tighter RDS(on) max to RDS(on) typ window
  • Easy to design-in
  • Lower price compared to 600V CFD technology

利点

  • Low switching losses due to low Qrr at repetitive commutation on body diode
  • Self limiting di/dt and dv/dt
  • Low Qoss
  • Reduced turn on and turn of delay times
  • Outstanding CoolMOS™ quality

用途

ドキュメント

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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