IPD380P06NM
Active and preferred
RoHS対応

IPD380P06NM

P-channel MOSFETs in normal and logic level, reducing design complexity in medium and low power applications
データシート
パッケージ
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在庫あり

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IPD380P06NM
IPD380P06NM
個.
データシート

製品仕様情報

  • ID (@25°C) (最大)
    -35 A
  • ID (@ TC=25°C) (最大)
    -35 A
  • IDpuls (最大)
    -140 A
  • Ptot (最大)
    125 W
  • QG (typ @10V)
    -63 nC
  • RDS (on) (@10V) (最大)
    38 mΩ
  • VDS (最大)
    -60 V
  • VGS(th)
    -3 V
  • パッケージ
    DPAK (TO-252)
  • 予算価格€/ 1k
    0.62
  • 動作温度 範囲
    -55 °C～175 °C
  • 極性
    P
推奨
OPN
IPD380P06NMATMA1
製品ステータス active and preferred
インフィニオン パッケージ
PG-TO252-3
パッケージ名 DPAK
梱包サイズ 2500
梱包形態 TAPE & REEL
MSL (湿度感受性レベル) 1
防湿梱包 NON DRY
鉛フリー No
ハロゲンフリー Yes
RoHS対応 Yes
Infineon stock last updated:
 個. 在庫あり

製品ステータス
Active
インフィニオン パッケージ
PG-TO252-3
パッケージ名 DPAK
梱包サイズ 2500
梱包形態 TAPE & REEL
MSL (湿度感受性レベル) 1
防湿梱包 NON DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
個.
在庫あり
OptiMOS™ P-channel MOSFETs 60 V in DPAK package, targeted for battery management, load switch and reverse polarity protection applications, reducing design complexity in medium and low power applications. Feature easy interface to MCU, fast switching as well as avalanche ruggedness, suitable for high quality demanding applications. It is available in logic level with a wide RDS(on) range and improves efficiency at low loads.

特長

  • VDS = -60V
  • Wide RDS(on) range
  • Normal & Logic Level availability

利点

  • Easy interface to MCU
  • Efficiency boost at low loads, low Qg
  • Fast switching
  • Avalanche ruggedness
ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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