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IPB60R180C7

CoolMOS™ C7 superjunction MOSFET offers best-in-class performance in PFC and LLC topologies
データシート
パッケージ
EA.
在庫あり

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IPB60R180C7
IPB60R180C7
EA.
データシート

Product details

  • ID (@25°C) max
    13 A
  • ID max
    13 A
  • IDpuls max
    45 A
  • Ptot max
    68 W
  • Qgd
    8 nC
  • QG
    24 nC
  • QG (typ @10V)
    24 nC
  • RDS (on) (@ Tj = 25°C)
    155 mΩ
  • RthJA max
    62 K/W
  • RthJC max
    1.832 K/W
  • Rth
    1.832 K/W
  • VDS max
    600 V
  • VGS(th)
    3.5 V
  • パッケージ
    D2PAK
  • ピン数
    3 Pins
  • 予算価格€/ 1k
    0.92
  • 動作温度
    -55 °C to 150 °C
  • 実装
    SMT
  • 極性
    N
  • 特別な機能
    Highest performance
推奨
OPN
IPB60R180C7ATMA1
製品ステータス active
インフィニオンパッケージ
PG-TO263-3
パッケージ名 D2PAK
包装サイズ 1000
包装形態 TAPE & REEL
水分レベル 1
モイスチャーパッキン NON DRY
鉛フリー No
ハロゲンフリー Yes
RoHS準拠 Yes
Infineon stock last updated:
 EA. 在庫あり

製品ステータス
Active
インフィニオンパッケージ
PG-TO263-3
パッケージ名 D2PAK
包装サイズ 1000
包装形態 TAPE & REEL
水分レベル 1
モイスチャーパッキン NON DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応
EA.
在庫あり
Infineon’s 600 V and 650 V CoolMOS™ C7 superjunction (SJ) MOSFET families are designed to achieve record-level efficiency performance, with reduced losses over the whole load range in hard-switching applications.

機能

  • Reduced switching losses
  • Excellent figure of merit Q G*R DS(on)
  • Increased switching frequency
  • Best R (on)*A in the market
  • Rugged body diode

利点

  • Higher frequency with no efficiency loss
  • Extended part-load efficiency
  • 50% smaller magnetic components
  • Smaller packages for same RDS(on)
  • Used for both hard & soft switching

用途

ドキュメント

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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