IPB45P03P4L-11

-30 V, P-Ch, 10.8 mΩ max, Automotive MOSFET, D2PAK, OptiMOS™-P2
データシート

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IPB45P03P4L-11
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製品仕様情報

  • ID (@25°C) (最大)
    -45 A
  • IDpuls (最大)
    -180 A
  • Ptot (最大)
    58 W
  • QG (typ @10V) (最大)
    42 nC
  • RDS (on) (@10V) (最大)
    10.8 mΩ
  • RthJC (最大)
    2.6 K/W
  • VDS (最大)
    -30 V
  • VGS(th) (最小)
    -1 V
  • VGS(th) (最大)
    -2 V
  • パッケージ
    D2PAK (PG-TO263-3)
  • 予算価格€/ 1k
    0.77
  • 動作温度 (範囲)
    -55 °C ～ 175 °C
  • 技術
    OptiMOS™P2
  • 極性
    P
  • 認定
    Automotive
OPN
製品ステータス
インフィニオンパッケージ
パッケージ名
包装サイズ
包装形態
水分レベル
モイスチャーパッキン
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
Infineon stock last updated:

特長

  • P-channel-Logic Level-Enhancement mode
  • Automotive AEC Q101 qualified
  • MSL1 up to 260°C peak reflow
  • 175°C operating temperature
  • Green package (RoHS compliant)
  • 100% Avalanche tested
  • Intended for reverse battery protection
  • PPAP Capable Device

用途

ドキュメント

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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