IPB019N08N5

IPB019N08N5

Industry leading power MOSFET technology for telecom and server applications with OptiMOS™ 5 80V in D2PAK 7pin package
データシート

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IPB019N08N5
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製品仕様情報

  • ID (@25°C) (最大)
    180 A
  • IDpuls (最大)
    720 A
  • Ptot (最大)
    224 W
  • QG (typ @10V)
    99 nC
  • RDS (on) (@10V) (最大)
    1.95 mΩ
  • VDS (最大)
    80 V
  • VGS(th) 範囲
    2.2 V～3.8 V
  • VGS(th)
    3 V
  • パッケージ
    D2PAK 7pin (TO-263 7pin)
  • ピン数
    7 Pins
  • 予算価格€/ 1k
    1.87
  • 動作温度 範囲
    -55 °C～175 °C
  • 実装
    SMD
  • 極性
    N

OPN
製品ステータス
インフィニオン パッケージ
パッケージ名
梱包サイズ
梱包形態
MSL (湿度感受性レベル)
防湿梱包
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応
Infineon’s OptiMOS™ 5 80V industrial power MOSFET IPB019N08N5 offers a RDS(on) reduction of 43% compared to previous generations and is ideally suited for high switching frequencies. The devices of this family are especially designed for synchronous rectification in telecom and server power supplies. In addition, they can also be utilized in other industrial applications such as solar , low voltage drives and adapters .

特長

  • Optimized for synchronous rectification
  • Ideal for high switching frequency
  • Capacitance reduction of up to 44%
  • 43% lower Rds(on) vs. previous gen

利点

  • Highest system efficiency
  • Reduced switching and conduction losses
  • Less paralleling required
  • Increased power density
  • Low voltage overshoot

アプリケーション

ドキュメント

設計リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ