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IPB019N08N5
生産終了
生産終了
RoHS対応

IPB019N08N5

生産終了
Industry leading power MOSFET technology for telecom and server applications with OptiMOS™ 5 80V in D2PAK 7pin package
データシート
パッケージ

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IPB019N08N5
IPB019N08N5
データシート

製品仕様情報

  • ID (@25°C) (最大)
    180 A
  • IDpuls (最大)
    720 A
  • Ptot (最大)
    224 W
  • QG (typ @10V)
    99 nC
  • RDS (on) (@10V) (最大)
    1.95 mΩ
  • VDS (最大)
    80 V
  • VGS(th) 範囲
    2.2 V～3.8 V
  • VGS(th)
    3 V
  • パッケージ
    D2PAK 7pin (TO-263 7pin)
  • ピン数
    7 Pins
  • 予算価格€/ 1k
    1.87
  • 動作温度 範囲
    -55 °C～175 °C
  • 実装
    SMD
  • 極性
    N
OPN
IPB019N08N5ATMA1
製品ステータス discontinued
インフィニオン パッケージ
PG-TO263-7
パッケージ名 D2PAK 7-pin
梱包サイズ 1000
梱包形態 TAPE & REEL
MSL (湿度感受性レベル) N/A
防湿梱包 NON DRY
鉛フリー No
ハロゲンフリー Yes
RoHS対応 Yes
Infineon stock last updated:

製品ステータス discontinued
インフィニオン パッケージ
PG-TO263-7
パッケージ名 D2PAK 7-pin
梱包サイズ 1000
梱包形態 TAPE & REEL
MSL (湿度感受性レベル) -
防湿梱包 NON DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
Infineon’s OptiMOS™ 5 80V industrial power MOSFET IPB019N08N5 offers a RDS(on) reduction of 43% compared to previous generations and is ideally suited for high switching frequencies. The devices of this family are especially designed for synchronous rectification in telecom and server power supplies. In addition, they can also be utilized in other industrial applications such as solar , low voltage drives and adapters .

特長

  • Optimized for synchronous rectification
  • Ideal for high switching frequency
  • Capacitance reduction of up to 44%
  • 43% lower Rds(on) vs. previous gen

利点

  • Highest system efficiency
  • Reduced switching and conduction losses
  • Less paralleling required
  • Increased power density
  • Low voltage overshoot

アプリケーション

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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