IPAN60R800CE

データシート

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IPAN60R800CE
IPAN60R800CE
データシート

Product details

  • ID max
    8.4 A
  • ID (@25°C) max
    8.4 A
  • IDpuls max
    15.7 A
  • Ptot max
    27 W
  • Qgd
    8.9 nC
  • QG (typ @10V)
    17.2 nC
  • QG
    17.2 nC
  • RDS (on) max
    800 mΩ
  • RDS (on) (@10V) max
    800 mΩ
  • RthJA max
    80 K/W
  • RthJC max
    4.6 K/W
  • Rth
    4.6 K/W
  • VDS max
    600 V
  • VGS(th)
    2.5 V to 3.5 V
  • パッケージ
    TO220 FullPAK narrow leads
  • ピン数
    3 Pins
  • 予算価格€/ 1k
    0.34
  • 動作温度
    -40 °C to 150 °C
  • 実装
    THT
  • 極性
    N
  • 特別な機能
    price/performance
OPN
製品ステータス
インフィニオンパッケージ
パッケージ名
包装サイズ
包装形態
水分レベル
モイスチャーパッキン
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
Infineon stock last updated:
CoolMOS™ CE is suitable for hard and soft switching applications and as modern superjunction, it delivers low conduction and switching losses improving efficiency and ultimately reduces power consumption. 600V, 650V and 700V CoolMOS™ CE combine the optimal R DS(on) and package offering suitable in low power chargers for mobile phones and tablets.

機能

  • Narrow margins between typical and max RDS(on)
  • Reduced energy stored in output capacitance (Eoss)
  • Good body diode ruggedness and reduced reverse recovery charge (Qrr)
  • Optimized integrated Rg

利点

  • Low conduction losses
  • Low switching losses
  • Suitable for hard and soft switching
  • Easy controllable switching behavior
  • Improved efficiencyand consequent reduction of power consumption
  • Less design in effort
  • Easy to use

用途

ドキュメント

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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