IMW65R010M2H
Active and preferred
RoHS対応
鉛フリー

IMW65R010M2H

CoolSiC™ MOSFET 650 V G2 in TO-247-3 package
データシート
パッケージ
ボード
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在庫あり

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IMW65R010M2H
IMW65R010M2H
個.
データシート

製品仕様情報

  • ID (@ TC=25°C) (最大)
    130 A
  • RDS (on) (@ Tj = 25°C) (最大)
    13 mΩ
  • RDS (on) (@ Tj = 25°C)
    10 mΩ
  • RthJC (最大)
    0.87 K/W
  • VDS (最大)
    650 V
  • パッケージ
    TO247
  • 動作温度 範囲
    -55 °C～175 °C
  • 実装
    THT
  • 技術
    CoolSiC™ G2
  • 極性
    N
  • 認定
    Industrial
推奨
OPN
IMW65R010M2HXKSA1
製品ステータス active and preferred
インフィニオン パッケージ
PG-TO247-3
パッケージ名 TO247
梱包サイズ 240
梱包形態 TUBE
MSL (湿度感受性レベル) NA
防湿梱包 NON DRY
鉛フリー Yes
ハロゲンフリー Yes
RoHS対応 Yes
Infineon stock last updated:
 個. 在庫あり

製品ステータス
Active
インフィニオン パッケージ
PG-TO247-3
パッケージ名 TO247
梱包サイズ 240
梱包形態 TUBE
MSL (湿度感受性レベル) NA
防湿梱包 NON DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
個.
在庫あり
The CoolSiC™ MOSFET 650 V, 10 mΩ G2 in a TO-247-3 package builds on the strengths of Generation 1 technology and enables the accelerated system design of more cost optimized, efficient, compact, and reliable solutions. Generation 2 comes with significant improvements in key figures-of-merit for both, hard-switching operation and soft-switching topologies, suitable for all common combinations of AC-DC, DC-DC, and DC-AC stages.

特長

  • Excellent figures of merit (FOMs)
  • Best in class RDS(on)
  • High robustness and overall quality
  • Flexible driving voltage range
  • Support for unipolar driving (VGSoff=0)
  • Best immunity against turn-on effects
  • Improved package interconnect with .XT

利点

  • Enables BOM savings
  • Maximizes the system performance per $
  • Highest reliability
  • Enables top efficiency and power density
  • Ease-of-use
  • Full compatibility with existing vendors
  • Allows designs without fan or heatsink
ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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