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生産終了
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RoHS準拠
鉛フリー

IMW120R045M1

生産終了
CoolSiC™ 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-3 package
データシート
パッケージ
ボード

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IMW120R045M1
IMW120R045M1
データシート

Product details

  • Ciss
    1900 pF
  • Coss
    115 pF
  • ID (@25°C) max
    52 A
  • Ptot (@25°C) max
    228 W
  • Qgd
    13 nC
  • QG (typ @15V)
    52 nC
  • RDS (on) (@15V)
    45 mΩ
  • RDS (on) (@ Tj = 25°C)
    45 mΩ
  • RthJA max
    62 K/W
  • RthJC max
    0.66 K/W
  • Tj max
    175 °C
  • VDS max
    1200 V
  • パッケージ
    TO-247-3
  • ピン数
    3 Pins
  • 動作温度
    -55 °C to 175 °C
  • 実装
    THT
  • 技術
    CoolSiC™ G1
  • 極性
    N
  • 認定
    Industrial
OPN
IMW120R045M1XKSA1
製品ステータス discontinued
インフィニオンパッケージ
PG-TO247-3
パッケージ名 TO247
包装サイズ 240
包装形態 TUBE
水分レベル NA
モイスチャーパッキン NON DRY
鉛フリー Yes
ハロゲンフリー Yes
RoHS準拠 Yes
Infineon stock last updated:

製品ステータス discontinued
インフィニオンパッケージ
PG-TO247-3
パッケージ名 TO247
包装サイズ 240
包装形態 TUBE
水分レベル NA
モイスチャーパッキン NON DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応
CoolSiC™ MOSFET discrete 1200 V, 45 mΩ G1 in TO247-3 package build on a state-of-the-art trench semiconductor process optimized to combine performance with reliability. The SiC MOSFET offers the lowest gate charge and device capacitance levels seen in 1200 V switches, no reverse recovery losses of the internal commutation proof body diode, temperature independent low switching losses, and threshold-free on-state characteristic.

機能

  • Best in class switching
  • Best in class conduction losses
  • High threshold voltage, Vth > 4 V
  • 0V turn-off gate voltage
  • Wide gate-source voltage range
  • Robust and low loss body diode
  • Temp. indep. turnoff switch. losses

ドキュメント

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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