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IMW120R045M1
生産終了
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鉛フリー

IMW120R045M1

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CoolSiC™ 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-3 package
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IMW120R045M1
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データシート


製品仕様情報

  • Ciss
    1900 pF
  • Coss
    115 pF
  • ID (@25°C) (最大)
    52 A
  • Ptot (@25°C) (最大)
    228 W
  • Qgd
    13 nC
  • QG (typ @15V)
    52 nC
  • RDS (on) (@15V)
    45 mΩ
  • RDS (on) (@ Tj = 25°C)
    45 mΩ
  • RthJA (最大)
    62 K/W
  • RthJC (最大)
    0.66 K/W
  • Tj (最大)
    175 °C
  • VDS (最大)
    1200 V
  • パッケージ
    TO-247-3
  • ピン数
    3 Pins
  • 動作温度 範囲
    -55 °C～175 °C
  • 実装
    THT
  • 技術
    CoolSiC™ G1
  • 極性
    N
  • 認定
    Industrial

OPN
IMW120R045M1XKSA1
製品ステータス discontinued
インフィニオン パッケージ
PG-TO247-3
パッケージ名 TO247
梱包サイズ 240
梱包形態 TUBE
MSL (湿度感受性レベル) NA
防湿梱包 NON DRY
鉛フリー Yes
ハロゲンフリー Yes
RoHS対応 Yes
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製品ステータス discontinued
インフィニオン パッケージ
PG-TO247-3
パッケージ名 TO247
梱包サイズ 240
梱包形態 TUBE
MSL (湿度感受性レベル) NA
防湿梱包 NON DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
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CoolSiC™ MOSFET discrete 1200 V, 45 mΩ G1 in TO247-3 package build on a state-of-the-art trench semiconductor process optimized to combine performance with reliability. The SiC MOSFET offers the lowest gate charge and device capacitance levels seen in 1200 V switches, no reverse recovery losses of the internal commutation proof body diode, temperature independent low switching losses, and threshold-free on-state characteristic.

特長

  • Best in class switching
  • Best in class conduction losses
  • High threshold voltage, Vth > 4 V
  • 0V turn-off gate voltage
  • Wide gate-source voltage range
  • Robust and low loss body diode
  • Temp. indep. turnoff switch. losses
ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ