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IMT65R260M1H

CoolSiC™ MOSFET discrete 650 V in TOLL package
データシート
パッケージ
EA.
在庫あり

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IMT65R260M1H
IMT65R260M1H
EA.
データシート

Product details

  • ID (@25°C) max
    20 A
  • RDS (on) (@ Tj = 25°C)
    260 mΩ
  • VDS max
    650 V
  • パッケージ
    TOLL
  • 動作温度
    -55 °C to 175 °C
  • 技術
    CoolSiC™ G1
  • 極性
    N
  • 認定
    Industrial
推奨
OPN
IMT65R260M1HXUMA1
製品ステータス active
インフィニオンパッケージ
PG-HSOF-8
パッケージ名 TOLL
包装サイズ 2000
包装形態 TAPE & REEL
水分レベル 2
モイスチャーパッキン DRY
鉛フリー Yes
ハロゲンフリー Yes
RoHS準拠 Yes
Infineon stock last updated:
 EA. 在庫あり

製品ステータス
Active
インフィニオンパッケージ
PG-HSOF-8
パッケージ名 TOLL
包装サイズ 2000
包装形態 TAPE & REEL
水分レベル 2
モイスチャーパッキン DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応
EA.
在庫あり
CoolSIC™ MOSFET 650 V, 260 mΩ in TOLL package leverages the strengths of the Infineon SiC technology to enable higher density designs and higher switching frequency operations. The small form factor and low parasitic of TOLL allow for an efficient and effective usage of board space as well to drive the MOSFET at higher frequencies, reaching higher power density. CoolSIC™ MOSFET 650 V, 260 mΩ in TOLL package offering is complemented by the availability of TOLL also for CoolMOS™ and CoolGaN™, making it an appealing one stop shop option for various systems. This 260 mΩ product is suitable for specific high efficiency designs in low power systems, like home appliances or low power industrial drives. It allows optimizing the performance per $, in hard commuting half and full bridge topologies, as well as increasing the efficiency of systems adopting topologies like the emerging Totem Pole PFC.

機能

  • 1st generation CoolSiC™
  • low gate charge
  • low stored energy in COSS
  • negligable Qrr
  • flat COSS
  • flat RDS(on) over temperature

利点

  • higher efficiency in hard switching
  • higher efficiency in soft switching
  • hard commutation on body diode
  • high reliability
  • Kelvin source
  • Kelvin source

用途

ドキュメント

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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